金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法

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专利状态

金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法

有效

专利申请进度

申请

2016-04-01

申请公布

2016-08-10

授权

2019-01-29

预估到期

2036-04-01

专利基础信息

申请号	CN201610204754.8	申请日	2016-04-01
申请公布号	CN105846038A	申请公布日	2016-08-10
授权公布号	CN105846038B	授权公告日	2019-01-29
分类号	H01P11/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号

专利法律状态

2019-01-29

授权

状态信息

授权
2016-09-07

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01P 11/00申请日:20160401
2016-08-10

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它包括以下工艺步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、制备第一绝缘层；步骤三、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合；步骤四、制备第二绝缘层；步骤五、电镀第一金属层；步骤六、制备第三绝缘层；步骤七、植球；步骤八、切割。本发明金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。

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