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专利状态
双面SiP的三维封装结构
有效
专利申请进度
申请
2017-09-25
申请公布
2018-03-02
授权
2019-11-01
预估到期
2037-09-25
专利基础信息
申请号 CN201710874462.X 申请日 2017-09-25
申请公布号 CN107749411A 申请公布日 2018-03-02
授权公布号 CN107749411B 授权公告日 2019-11-01
分类号 H01L25/16;H01L23/538;H01L23/485;H01L23/31
分类 基本电气元件;
申请人名称 江苏长电科技股份有限公司
申请人地址 江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号
专利法律状态
  • 2019-11-01
    授权
    状态信息
    授权
  • 2018-03-27
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效IPC(主分类):H01L 25/16
  • 2018-03-02
    公布
    状态信息
    公开
摘要
本发明涉及一种双面SiP的三维封装结构,它包括核心转接板(1),所述核心转接板(1)正面贴装有扇出型晶圆级封装结构(2)和第一被动元件(3),所述扇出型晶圆级封装结构(2)和第一被动元件(3)外围设置有第一3D导电部件(4),第一3D导电部件(4)正面露出于第一塑封料(5),所述所述核心转接板(1)背面贴装有芯片(7)和第二被动元件(8),所述芯片(7)和第二被动元件(8)外围设置有第二3D导电部件(6),所述第二3D导电部件(6)背面露出于第二塑封料(9)。本发明能够使用预制的窄中心距3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构,可以降低封装模组的尺寸高度,提高封装模组的高频性能以及高度设计和翘曲控制的灵活性。