芯片封装结构及其制造方法

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专利状态

芯片封装结构及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2019-06-20

申请公布

2020-12-22

授权

2023-01-31

预估到期

2039-06-20

专利基础信息

申请号	CN201910536027.5	申请日	2019-06-20
申请公布号	CN112117242A	申请公布日	2020-12-22
授权公布号	CN112117242B	授权公告日	2023-01-31
分类号	H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号

专利法律状态

2023-01-31

授权

状态信息

授权
2020-12-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明揭示了一种芯片封装结构及其制造方法。所述芯片封装结构包括基岛、封装料、贴装在基岛上表面的第一芯片以及相较于第一芯片远离基岛上表面布设的第二芯片，其特征在于，还包括设于第二芯片下表面的基底膜层和多个连接柱，所述连接柱的上端植设于基底膜层且其下端焊接于基岛上表面，封装料包封第一芯片和第二芯片并填充于基岛和第二芯片之间。通过设置基底膜层和植设连接柱，使得在封装料能够沿连接柱包饶并充盈至第二芯片和基岛之间的空隙中，利于包封过程中气体的顺利排出，避免空洞现象；并且，连接柱的上端植设于基底膜层且其下端焊接至基岛上，使得连接柱稳固性强，避免连接柱脱落或移位。

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