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专利状态
具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺
有效
专利申请进度
申请
2017-12-29
申请公布
2018-06-26
授权
2020-03-06
预估到期
2037-12-29
专利基础信息
申请号
CN201711467438.0
申请日
2017-12-29
申请公布号
CN108206170A
申请公布日
2018-06-26
授权公布号
CN108206170B
授权公告日
2020-03-06
分类号
H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址
江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号
专利法律状态
2020-03-06
授权
状态信息
授权
2018-07-20
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/495
2018-06-26
公布
状态信息
公开
摘要
本发明涉及一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺,所述结构包括基岛和引脚,所述引脚包括平面部分和弧形部分,所述弧形部分位于平面部分外侧,所述弧形部分的凸面朝向外下侧,所述基岛正面设置有芯片,所述芯片通过金属焊线与引脚形成电性连接,所述引脚、基岛以及芯片外围区域包封有塑封料,所述平面部分和弧形部分的外表面暴露于塑封料之外。本发明可有效增加引脚侧边镀锡面积,同时可以避免引脚外凸弧形处残留有空气无法排出,从而提高产品的焊接性能与焊接的可靠性。
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