双面SiP的三维封装结构的制造方法

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专利状态

双面SiP的三维封装结构的制造方法

有效

专利申请进度

申请

2017-09-25

申请公布

2018-01-23

授权

2019-11-01

预估到期

2037-09-25

专利基础信息

申请号	CN201710875279.1	申请日	2017-09-25
申请公布号	CN107622957A	申请公布日	2018-01-23
授权公布号	CN107622957B	授权公告日	2019-11-01
分类号	H01L21/56
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号

专利法律状态

2019-11-01

授权

状态信息

授权
2018-02-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/56
2018-01-23

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种双面SiP的三维封装结构的制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、取一临时载板；步骤二、在临时载板上贴装核心转接板；步骤三、在核心转接板正面贴装扇出型晶圆级封装结构、第一被动元件和第一3D导电部件；步骤四、塑封作业；步骤五、机械研磨露出第一3D导电部件并移除临时载板；步骤六、核心转接板背面贴装芯片、第二被动元件和第二3D导电部件；步骤七、塑封，植球作业；步骤八、下一步封装制程或者切割成单颗产品，完成测试。本发明能够使用预制的窄中心距3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构，可以降低封装模组的尺寸高度，提高封装模组的高频性能以及高度设计和翘曲控制的灵活性。

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