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专利状态
芯片封装结构及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2022-09-16
申请公布
2022-10-18
授权
2023-01-31
预估到期
2042-09-16
专利基础信息
申请号
CN202211133572.8
申请日
2022-09-16
申请公布号
CN115206902A
申请公布日
2022-10-18
授权公布号
CN115206902B
授权公告日
2023-01-31
分类号
H01L23/31;H01L21/56;H03H3/02;H03H3/08;H03H9/10;H03H9/46
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址
江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号
专利法律状态
2023-01-31
授权
状态信息
授权
2022-10-18
公布
状态信息
公布
摘要
本发明揭示了一种芯片封装结构及其制作方法,包括基板、至少一芯片、多个导电结合部和环氧树脂膜,芯片通过导电结合部设置于基板上方;还包括阻挡结构件,设置于导电结合部外侧的基板上表面部分区域,所述阻挡结构件被配置用于阻挡所述环氧树脂膜进入所述阻挡结构件的内侧区域;环氧树脂膜包覆芯片的上表面和侧表面以及阻挡结构件的外侧表面,并沿芯片侧表面和阻挡结构件的外侧表面延伸至基板上表面,环氧树脂膜、芯片、基板和阻挡结构件之间形成空腔。在覆膜工艺中,该阻挡结构件能够有效阻挡环氧树脂膜溢出的树脂材料进入芯片与基板之间的空腔区域,防止污染导电结合部和空腔区域。
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