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专利状态
一种带石墨烯层散热的封装结构及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-31
申请公布
2020-05-19
授权
2021-04-09
预估到期
2039-12-31
专利基础信息
申请号
CN201911401656.3
申请日
2019-12-31
申请公布号
CN111180403A
申请公布日
2020-05-19
授权公布号
CN111180403B
授权公告日
2021-04-09
分类号
H01L23/367;H01L21/48
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址
江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号
专利法律状态
2021-04-09
授权
状态信息
授权
2020-06-12
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/367
2020-05-19
公布
状态信息
公开
摘要
本发明涉及一种带石墨烯层散热的封装结构及其制造方法,所述封装结构包括芯片(3),所述芯片(3)除焊盘区域以外的上表面和侧面均设置有钝化层(4),所述钝化层(4)表面设置有石墨烯层(5),所述石墨烯层(5)沿着芯片下表面向外延伸至芯片(3)外围区域,所述芯片(3)焊盘位置设置第一铜柱(11),所述芯片(3)上表面的石墨烯层(5)上设置若干个第二铜柱(12),所述石墨烯层(5)延伸区域设置若干个第三铜柱(13),所述石墨烯层(5)外围区域设置多干个第四铜柱(14),所述铜柱之间填充塑封料(6)。本发明芯片封装结构中加入了散热功能极好的石墨烯层,使得芯片工作过程中能及时将热量散出,特别是部分芯片热量过高的区域,可以有效的降低芯片的热点值,从而让芯片更稳定的工作。
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