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专利状态
一种半导体封装结构及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2020-06-30
申请公布
2020-10-27
授权
2021-12-24
预估到期
2040-06-30
专利基础信息
申请号
CN202010614283.4
申请日
2020-06-30
申请公布号
CN111834329A
申请公布日
2020-10-27
授权公布号
CN111834329B
授权公告日
2021-12-24
分类号
H01L23/498;H01L23/13;H01L23/14;H01L21/48
分类
基本电气元件;
申请人名称
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址
江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号
专利法律状态
2021-12-24
授权
状态信息
授权
2020-11-13
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L23/498;申请日:20200630
2020-10-27
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及一种半导体封装结构及其制造方法,所述封装结构它包括线路内芯(1),所述线路内芯(1)包括上金属板(1.1)和下金属板(1.2),所述上金属板(1.1)和下金属板(1.2)之间填充有塑料(2),所述上金属板(1.1)正面设置有内引脚(4),所述下金属板(1.2)背面设置有外引脚(5),所述内引脚(3)上设置有芯片(7),所述芯片(7)和焊线(8)外围包封有塑封料(9)。本发明直接在线路内芯中填充塑封料,不需使用玻璃纤维层,不需要开孔后再在孔中植入导电物质,简化了制造工艺,减少了制作成本,同时通过其结构比较稳定,在温度发生变化时不容易发生翘曲。
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