金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法

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专利状态

金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法

有效

专利申请进度

申请

2016-04-01

申请公布

2016-07-27

授权

2018-10-09

预估到期

2036-04-01

专利基础信息

申请号	CN201610203980.4	申请日	2016-04-01
申请公布号	CN105810597A	申请公布日	2016-07-27
授权公布号	CN105810597B	授权公告日	2018-10-09
分类号	H01L21/56;H01L23/31
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号

专利法律状态

2018-10-09

授权

状态信息

授权
2016-08-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/56申请日:20160401
2016-07-27

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、制备第一绝缘层步骤三、贴合晶圆开孔并进行贴合步骤四、制备第二绝缘层步骤五、埋孔用导电胶或电镀金属埋入开孔内；步骤六，制备第二金属层步骤七、植球在第二金属层表面进行植球；步骤八、切割切割分成单颗产品。本发明一种金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。

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