一种硅基太阳能电池及其制备方法

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专利状态

一种硅基太阳能电池及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-25

申请公布

2021-07-23

授权

2023-08-25

预估到期

2040-12-25

专利基础信息

申请号	CN202011562211.6	申请日	2020-12-25
申请公布号	CN113161431A	申请公布日	2021-07-23
授权公布号	CN113161431B	授权公告日	2023-08-25
分类号	H01L31/0216;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	晶科能源股份有限公司
申请人地址	浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号

专利法律状态

2023-08-25

授权

状态信息

授权
2023-08-18

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):H01L 31/0216；专利申请号:2020115622116；变更事项:申请人；变更前:浙江晶科能源有限公司；变更后:浙江晶科能源有限公司；变更事项:地址；变更前:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号；变更后:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号；变更事项:申请人；变更前:晶科能源有限公司；变更后:晶科能源股份有限公司
2021-08-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/0216；申请日:20201225
2021-07-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种硅基太阳能电池，包括依次设置的前电极、前减反射层、前发射电极、Si（p）硅基本征层、In掺杂层、量子点薄层、氧化铝背面钝化层、SixNy背面氮化硅层、铝背场层和背电极。本发明通过上述各个层依次设置，特别是掺杂层和量子点薄层的设置，在P型硅底层扩散ⅢA族其他元素形成P+层，然后镀上近红外光谱的吸收材料的量子点薄层，利用这种近红外光区的半导体材料对长波的吸收特性，增加光能的利用，提高光电的转化效率。

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