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专利状态
一种功率器件及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2021-04-26
申请公布
2021-06-18
授权
2022-03-18
预估到期
2041-04-26
专利基础信息
申请号
CN202110451116.7
申请日
2021-04-26
申请公布号
CN112992818A
申请公布日
2021-06-18
授权公布号
CN112992818B
授权公告日
2022-03-18
分类号
H01L23/367;H01L23/373;H01L23/29;H01L21/50;H01L21/56
分类
基本电气元件;
申请人名称
佛山市国星光电股份有限公司
申请人地址
广东省佛山市禅城区华宝南路18号
专利法律状态
2022-03-18
授权
状态信息
授权
2021-06-18
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供了一种功率器件及其制作方法,具体涉及到半导体器件领域。功率器件包括结构封装体、支架板、芯片和散热体,散热体包括层叠设置的接触导电层和高绝缘高导热层;芯片的底面贴合设置在支架板的顶面上,位于散热体底面一侧的接触导电层贴合设置在芯片的顶面上;支架板、芯片和散热体基于结构封装体封装,支架板的底面外露于结构封装体,散热体的顶面外露于结构封装体。该功率器件通过在芯片的顶面设置散热体,可利用散热体提高封装器件的散热效率并提高封装器件的使用寿命。
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