闪存介质数据写入方法_专利查询-品牌网

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专利状态

闪存介质数据写入方法

失效

专利申请进度

申请

2003-12-31

申请公布

2005-07-06

授权

2008-11-12

预估到期

2023-12-31

专利基础信息

申请号	CN200310117714.2	申请日	2003-12-31
申请公布号	CN1635580A	申请公布日	2005-07-06
授权公布号	CN100433195C	授权公告日	2008-11-12
分类号	G11C16/10;G06F12/00
分类	信息存储;
申请人名称	深圳市朗科科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼

专利法律状态

2024-01-19

专利权的终止

状态信息

专利权有效期届满；IPC(主分类):G11C 16/10；专利号:ZL2003101177142；申请日:20031231；授权公告日:20081112；终止日期:
2008-11-12

授权

状态信息

授权
2007-02-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2005-07-06

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种闪存介质数据写入方法，应用于对两片或多片闪存芯片(Flash)的数据写入，该方法包括：先将两片闪存芯片中的物理块分别对应于奇数逻辑块地址和偶数逻辑块地址；从数据写入指令中解析出写操作对应的逻辑块地址；判断所述逻辑块地址的奇偶性并根据所述逻辑块地址的奇偶性选择对应的闪存芯片；操作该闪存芯片，对所操作的闪存芯片发出编程或擦除命令后检测另一片闪存芯片是否需要进行编程或擦除操作，当所述另一片闪存芯片需要进行编程或擦除操作时，则向所述另一片闪存芯片发出编程或擦除命令。使用本发明的方法可同时两片闪存芯片进行编程和擦除操作，从而大大提高了数据写入的速度。

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