半导体存储介质的寿命获取方法、系统及装置

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专利状态

半导体存储介质的寿命获取方法、系统及装置

有效

专利申请进度

申请

2008-07-10

申请公布

2010-01-13

授权

2013-07-10

预估到期

2028-07-10

专利基础信息

申请号	CN200810068481.4	申请日	2008-07-10
申请公布号	CN101625902A	申请公布日	2010-01-13
授权公布号	CN101625902B	授权公告日	2013-07-10
分类号	G11C29/00;G06F12/00;G06F3/06
分类	信息存储;
申请人名称	深圳市朗科科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼

专利法律状态

2013-07-10

授权

状态信息

授权
2011-07-13

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G11C 29/00申请日:20080710
2010-01-13

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及电数字数据处理领域，尤其涉及一种半导体存储介质的寿命获取方法、系统及装置。所述寿命获取方法包括如下步骤：建立半导体存储介质寿命模型，半导体存储介质寿命模型中包括半导体存储介质的寿命信息；获取半导体存储介质的寿命信息。本发明通过将半导体存储介质的寿命信息以表的形式记录起来，形成寿命表，从而建立包含半导体存储介质各种寿命信息的寿命模型，以便于使用。然后从此寿命模型中获取各种寿命信息。通过这种方法获得的半导体存储介质的寿命信息可以经过计算后显示或者进行其他方式的寿命提示，这样可以在存储设备老化前对重要数据及时进行备份，保护了数据的安全性，避免了数据的丢失。

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